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描述：K4B4G0846E-BYMA  

4Gb E-die DDR3L SDRAM
具有无铅和无卤素的78FBGA
（符合RoHS）
DRAM芯片DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V / 1.5V 78引脚FBGA
K4B4G0846E-BYMA  

特点：K4B4G0846E-BYMA
•JEDEC标准1.35V（1.28V〜1.45V）和1.5V（1.425V〜1.575V）
•VDDQ = 1.35V（1.28V〜1.45V）和1.5V（1.425V〜1.575V）
•400 MHz fCK表示800Mb / sec / pin，533MHz fCK表示1066Mb / sec / pin，
对于1333Mb / sec / pin，667MHz fCK，对于1600Mb / sec / pin，800MHz fCK，
933MHz fCK for 1866Mb / sec / pin
•8家银行
•可编程CAS延迟（已发布CAS）：5,6,7,8,9,10,11,12,13
•可编程加性延迟：0，CL-2或CL-1时钟
•可编程CAS写入延迟（CWL）= 5（DDR3-800），6
（DDR3-1066），7（DDR3-1333），8（DDR3-1600）和9（DDR3-1866）
•8位预取
•突发长度：8、4，tCCD = 4，这不允许无缝读取
或撰写[使用A12或MRS即时down load]
•双向差分数据选通
•内部（自我）校准：通过ZQ引脚进行内部自我校准
（RZQ：240欧姆±1％）
•使用ODT引脚进行管芯端接
•平均刷新时间为7.8us（低于TCASE85C，3.9us低于TCASE）
85C<TCASE <95C
•支持工业温度（-4095C）
--40°C≤TCASE≤85°C时的tREFI 7.8us
-85°C <TCASE≤95°C时的tREFI 3.9us
•异步复位
•包装：78球FBGA-x4 / x8
•所有无铅产品均符合RoHS
•所有产品均不含卤素
4Gb DDR3 SDRAM E-die被组织为128Mbit x 4 I / O x 8banks，
64Mbit x 8 I / O x 8banks设备该同步设备实现了高
高可达1866Mb / sec / pin的双数据速率传输速率（DDR3-
（1866）。
该芯片的设计符合以下DDR3 SDRAM关键功能，例如发布的CAS，可编程CWL，内部（自）校准，
使用ODT引脚和异步复位来终止芯片。
所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点锁存（CK上升和CK下降）。所有I / O均与
源同步方式的一对双向选通脉冲（DQS和DQS）。地址总线用于传送行，列和库地址
RAS / CAS复用样式中的信息。 DDR3设备运行
带有一个1.35V（1.28V〜1.45V）和1.5V（1.425V〜1.575V）电源
和1.35V（1.28V〜1.45V）和1.5V（1.425V〜1.575V）VDDQ。
4Gb DDR3 E-die设备可用于78ball FBGA（x4 / x8）

详细参数：K4B4G0846E-BYMA
参数名称参数值
生命周期
IHS制造商SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
包装说明
达到合规性
风险等级5.67
访问模式MULTI BANK页面突发
其他特性AUTO / SELF REFRESH; 还以1.5V标称电源工作
JESD-30代码R-PBGA-B78
长度11毫米
内存密度4294967296位
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
运输数量1
端子数量78
字数536870912单词
字数代码512000000
工作模式同步
高工作温度85°C
低工作温度
组织512MX8
封装主体材料PLASTIC / EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状矩形
封装形式GRID ARRAY，薄型轮廓，精细间距
座面大高度1.2毫米
自我刷新是
大电源电压（Vsup）1.45 V
小电源电压（Vsup）1.283 V
标称电源电压（Vsup）1.35 V
表面贴装是
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度7.5毫米 

K4B4G0846E-BYMA