深圳晨欣芯讯电子科技有限公司

供应SAMSUNG/三星 储存料 K4Z80325BC-HC14

制造商::SAMSUNG/三星 型号:K4Z80325BC-HC14 系列::SDRAM 封装:180FBGA 数量:10000 容量:8 Gb 架构:256M x 32 速率:14.0 Gbps 刷新:16K / 32 ms

供应SAMSUNG/三星 储存器 K4A8G165WC-BCTD

制造商::SAMSUNG/三星 型号:K4A8G165WC-BCTD 系列::SDRAM 封装:96FBGA 数量:10000 容量:8GB 架构:512M x 16 速率:2666 Mbps 工作电压:1.2 V 工作温度:0 ~ 85 °C 无铅/环保:无铅/环保 标准包装数量:1120

供应K4E6E304EC-EGCG SAMSUNG/三星 储存器

制造商::SAMSUNG/三星 型号:K4E6E304EC-EGCG 系列::SDRAM 封装:178FBGA 数量:10000 容量:16 Gb 架构:x32 速率:2133 Mbps 工作电压:1.8 / 1.2 / 1.2 V 工作温度:-25 ~ 85 °C 无铅/环保:无铅/环保 标准包装数量:1120

供应储存器 K4E6E304ED-EGCG SAMSUNG/三星

制造商::SAMSUNG/三星 型号:K4E6E304ED-EGCG 系列::SDRAM 封装:178FBGA 数量:10000 容量:16 Gb 架构:x32 速率:2133 Mbps 工作电压:1.8 / 1.2 / 1.2 V 工作温度:-25 ~ 85 °C 无铅/环保:无铅/环保 器件状态:批量生产

供应SAMSUNG/三星 K4G80325FC-HC25 储存器

制造商::SAMSUNG/三星 型号:K4G80325FC-HC25 系列::SDRAM 封装:170FBGA 数量:10000 容量:8 Gb 架构:256M x 32 速率:8.0 Gbps 刷新:16K / 32 ms

K4B4G1646E-BCNB SAMSUNG/三星 储存器

制造商::SAMSUNG/三星 型号:K4B4G1646E-BCNB 系列::SDRAM 封装:FBGA 数量:10000 容量:4 Gb 外包装:TRAY 无铅/环保:无铅/环保 电压(伏):1.5 V 温度规格:Commercial (0°C – 95°C) 速度:DDR3-2133 标准包装数量:1120 Number Of Words:256M Bit Organization:x16 Internal Banks:8 Banks

SAMSUNG/三星 K4A4G165WE-BCRC 储存器

制造商::SAMSUNG/三星 型号:K4A4G165WE-BCRC 系列::SDRAM 封装:96FBGA 数量:10000 容量:4 Gb 架构:256M x 16 速率:2400 Mbps 工作电压:1.2 V 工作温度:0 ~ 85 °C 无铅/环保:无铅/环保 标准包装数量:1120

SAMSUNG/三星 K4A4G165WF-BCTD 储存器

制造商:SAMSUNG/三星 型号:K4A4G165WF-BCTD 系列::SDRAM 封装:96FBGA 数量:10000 容量:4 Gb 架构:256M x 16 速率:2666 Mbps 工作电压:1.2 V 工作温度:0 ~ 85 °C 无铅/环保:无铅/环保 标准包装数量:1120

供应K4A8G165WB-BCRC SAMSUNG/三星储存器

制造商::SAMSUNG/三星 型号:K4A8G165WB-BCRC 系列::SDRAM 封装:96FBGA 数量:10000 容量:8 GB 架构:512M x 16 速率:2400 Mbps 工作电压:1.2 V 工作温度:0 ~ 85 °C 无铅/环保:无铅/环保 标准包装数量:1120

供应SAMSUNG\三星 K4B4G1646E-BYK0 储存器

制造商::SAMSUNG\三星 型号:K4B4G1646E-BYK0 系列::SDRAM 数量:100000 封装:BGA 电压:1.35 V 技术:CMOS 温度等级:OTHER 端子形式:BALL 端子节距:0.8 mm 高工作温度:85°C 速度:1600 Mbps 密度:4GB

SAMSUNG/三星 储存器K4B4G1646E-BYMA

制造商::SAMSUNG/三星 型号:K4B4G1646E-BYMA 系列::SDRAM 封装:96FBGA 速度:1866 Mbps 电压:1.35 V 工作温度:0~85°C 产品状态:批量生产 数量:100000

供应SAMSUNG/三星 储存器 K4B4G0846E-BYMA

制造商::SAMSUNG/三星 型号:K4B4G0846E-BYMA 系列::SDRAM 封装:78FBGA 批号:21+ 数量:100000 QQ:2384657991 容量:4GB 速度:1866 Mbps 电压:1.35 V 温度:0~85°C 产品状态:批量生产

大量供应 K4B4G1646E-BCMA SAMSUNG/三星

制造商::SAMSUNG/三星 型号:K4B4G1646E-BCMA 系列::SDRAM 封装:96FBGA 数量:10000 容量:4 Gb 架构:512M x 8 速率:1866 Mbps 工作电压:1.5 V 工作温度:0 ~ 85 °C 产品状态:EOL

供应SAMSUNG 三星 储存器 K4B2G1646F-BCNB

脚位/封装:FBGA-96 无铅/环保:无铅/环保 电压(伏):1.5 V 温度规格:Commercial (0°C – 95°C) 速度:DDR3-2133(14-14-14)3 Number Of Words:128M Bit Organization:x16 Density:2G Generation:7th Generation Internal Banks:8 Banks Power:Normal Power 厂牌:SAMSUNG/三星 IC 类别:DDR3 SDRAM 数量:100000 QQ:2384657991

SANSUNG 三星 储存器 K4B2G1646F-BYMA

型号/规格：:K4B2G1646F-BYMA 牌子:SAMSUNG三星 封装:BGA96 包装:托盘 类别:存储器 大小:2G 速度:ddr3 电压(伏):1.35v 温度规格:INDUSTRIAL 标准包装数量:1120 无铅/环保:无铅/环保 库存:10000

SAMSUNG三星 K4B2G0846F-BYMA 储存器

型号:K4B2G0846F-BYMA 品牌:SAMSUNG（三星） 容量:2Gb 架构:128*16 封装:BGA 速度:DDR3