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SAMSUNG/三星 K4A4G165WE-BCRC  储存器
SAMSUNG/三星 K4A4G165WE-BCRC  储存器
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SAMSUNG/三星 K4A4G165WE-BCRC 储存器

制造商::

SAMSUNG/三星

型号:

K4A4G165WE-BCRC

系列::

SDRAM

封装:

96FBGA

数量:

10000

容量:

4 Gb

架构:

256M x 16

速率:

2400 Mbps

工作电压:

1.2 V

工作温度:

0 ~ 85 °C

无铅/环保:

无铅/环保

PDF资料:

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产品信息

K4A4G165WE-BCRC  

制造商IC编号 K4A4G165WE-BCRC
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 DDR4 SDRAM
IC代码 256MX16 DDR4



K4A4G165WE-BCRC

产品详情

K4A4G165WE-BCRC  


脚位/封装 FBGA-96
外包装 TRAY
无铅/环保 无铅/环保
电压(伏) 1.2V
温度规格 0°C TO +85°C
速度 DDR4-2400 (1200MHz @ CL=17, tRCD=17, tRP=17)
标准包装数量 1120
DC 18+
潜在应用
  • SMART ELECTRONICS/智能電子
  • SMART TV/MONITOR/TFT/LCD TV-MAKER/顯示器/智能電視製造商


Number Of Words

256M
Bit Organization x16
Density 4Gb
Internal Banks 16 Banks
Power Normal Power
Generation

6th Generatio

K4A4G165WE-BCRC  

4Gb DDR4 SDRAM电子芯片被组织为32兆位x 16输入/输出x8个存储体 设备。该同步装置实现了高速双数据速率 一般应用的传输速率高达2666 Mb/秒/引脚(DDR4-2666)。 该芯片设计符合以下关键DDR4 SDRAM特性 例如张贴的CAS、可编程CWL、内部(自)校准, 使用ODT引脚和异步实现芯片端接


4Gb DDR4 SDRAM电子芯片被组织为32兆位x 16输入/输出x8个存储体
设备。该同步装置实现了高速双数据速率
一般应用的传输速率高达2666 Mb/秒/引脚(DDR4-2666)。
该芯片设计符合以下关键DDR4 SDRAM特性
例如张贴的CAS、可编程CWL、内部(自)校准,
使用ODT引脚和异步复位的芯片端接。
所有控制和地址输入都与一对外部同步
提供差分时钟。输入在差分交叉点被锁存
时钟(CK上升,CK下降)。所有的输入/输出都与
源同步方式的双向选通脉冲对(DQS和DQS)。
地址总线用于传送行、列和库地址
RAS/CAS多路复用风格的信息。DDR4设备工作
采用单个1.2V (1.14V~1.26V)电源,1.2V(1.14V~1.26V) VDDQ
和2.5V(2.375伏~ 2.75伏)VPP。
4Gb DDR4 E-die设备提供96球FBGAs(x16)版本。


主要经营的品牌有:AD、AMD、ATMEL、alterA、ALLEGRO、AGILNET、XILINX、TI/BB、FAIRCHILD、ST、PHILIPS、MOTOROLA、IR、ON、NSC、SHARP、TOSHIBA、VISHAY、BROADCOM等.产品主要应用于IT、通信、遥控、航空航天、控制系统、汽车、机械、卫星数等全系列产品;产品应用于网络通信、汽车电子、工业自动化、安防、广电、电力及智能交通领域;公司有良好进货渠道。结合高科技市场拓展需要,公司不断加强技术支持服务和管理先进化的投入,降低成本,扩展客户网络。 主营范围:消费电子,工业控制,汽车电子,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络

主营范围:消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络